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- 技术参数
- 商品描述
| 产品属性 | |
|---|---|
| 类别 | Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 系列 | STripFET™ F6 |
| 零件状态 | Active |
| FET 类型 | N-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏源电压（Vdss） | 68V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 110A (Tc) |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 100nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 5850pF @ 25V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 176W (Tc) |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 6.5 mOhm @ 55A, 10V |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 安装类型 | Through Hole |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 其他信息 | |
|---|---|
| 标准包装数 | 2,000 |
| 数据手册 | |
|---|---|
| STP110N7F6.pdf | |
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FAQ
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