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- 技术参数
- 商品描述
| 产品属性 | |
|---|---|
| 类别 | Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | Tape & Reel (TR) |
| 零件状态 | Active |
| FET 类型 | 2 P-Channel (Dual) |
| FET 功能 | Logic Level Gate |
| 漏源电压（Vdss） | 40V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 8A |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 27 mOhm @ 8A, 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 63nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2000pF @ 20V |
| 功率 - 最大值 | 3.2W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其他信息 | |
|---|---|
| 标准包装数 | 2,500 |
| 其他名称 | SI4909DY-T1-GE3TR |
| 数据手册 | |
|---|---|
| SI4909DY | |
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FAQ
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